| 型号：IDT71V35761YSA200BQ8 | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：165-TBGA | 描述：IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 4.5M（128K x 36） |
| 速度 | 200MHz |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 165-TBGA |
| 供应商器件封装 | 165-CABGA（13x15） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！171-4729-9698（微信同号） |
| 深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道） |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 中科航芯（深圳）科技有限公司 | 李18927479189 |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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Vishay Dale
1210（3225 公制）
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1206（3216 公制），凸起
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网络、阵列
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1206（3216 公制），凸起
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- IDT71V35761YSA200BQ
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
165-TBGA
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA
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单二极管/齐纳
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SOD-123
DIODE ZENER 22V 500MW SOD-123
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网络、阵列
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
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固定式
Vishay Dale
1210（3225 公制）
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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网络、阵列
Vishay Thin Film
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
RES NET 50K OHM 5 RES 8-SOIC
- MNR14E0ABJ202
网络、阵列
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1206（3216 公制），凸起
RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
- P6KE33A-T
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Diodes Inc
DO-204AC，DO-15，轴向
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1210（3225 公制）
INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1210
- IDT71V3577S65PFG
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100-LQFP
IC SRAM 4MBIT 65NS 100TQFP
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1206（3216 公制），凸起
RES ARRAY 20K OHM 4 RES 1206
- NTP5864NG
FET - 单
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MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
